1)干燥包装
1.1)在运输或储存过程中应避免产品受潮
1.2)每盘产品都被包装在防潮防静电的包装袋里（特殊包装材料可根据客户选择使用）。每包产品应在运输之前应确定已经被密封好口

2)储存
2.1)产品应保存在以下条件：湿度：最大不超过60%RH，温度：5℃~30℃（41F~86F）
2.2)在温度小于40℃和湿度小于90%RH的情况下，产品能在密封的包装袋内保存12个月
2.3)包装袋被打开后，由于产品将受到红外线，水蒸气或机器运行的影响，应尽量将产品在温度小于30℃湿度为60%RH的环境中一年内完成安装使用，或者储存在湿度小于20%RH的拉式密封包装袋里

3)应用（焊接）
3.1)手动焊接（我们不建议使用这种方法）
3.1.1)焊接锡材料：锡6/4合金或含银
3.1.2)为防止破裂，请在手动焊接前先烘烤产品
3.1.3)保持烙铁边缘温度在300℃5℃ MAX（25W）并在3秒内完成焊接。如果温度更高，焊接时间应相应缩短（每升高10℃缩短1秒）
3.1.4)在手动焊接过程中，注意不要破坏了产品外形，尤其是接线点或树脂（焊接时不要给产品施加任何压力）
3.1.5)不要重复使用已经过一次焊接的产品
3.1.6)建议使用有控温功能的烙铁
3.2)回流焊
3.2.1)建议使用的锡胶规格
a)熔化温度在178~192℃
b)成分：锡 63%， 铅 37%
3.2.2)绝对不允许在产品还没有冷却回复到室温的情况下进行下一个操作
3.2.3)需要回流过程图（在LED树脂表面测试得到）
3.3)返工
3.3.1)返工需在260℃下，5秒内完成
3.3.2)烙铁头不能接触到铜箔
3.3.3)最好使用双头烙铁

4）清理成焊接后清理的要求
a)使用酒精溶剂，如异丙基酒精（IPA）
b)温度 x 时间： 小于50℃ x 30秒，或者小于30℃ x 3分钟
c)超声清洗：小于15W/室，室容量：最大1升
d)操作方法：小于100℃，小于3分钟

5)提取和放置应注意的事项
5.1)在高温下应避免往树脂上加压
5.2)避免任何物体在树脂上的摩擦
5.3)静电会破坏产品，请确定机器已经接地，建议使用离子风扇

6)设计和使用应注意的事项
6.1)应为产品串联一个限流电阻以避免产品受到开或关时产生的反向电压的影响
6.2)所有的使用都应该参照本说明中的最大值
6.3)推荐的焊接尺寸未必适合每一个使用者，请在设计焊接模式之前先确定适合自己产品的焊接尺寸以确保达到最好的焊接效果
6.4)不要接触到组装板上的任何产品
 

半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。

一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用
（一）LED发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向?截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
 
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。

（二）LED的特性
1．极限参数的意义
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超值，LED发热、损坏。
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。